展示会情報

2024年9月24日 大陽日酸は、2024年11月3日（日）～11月8日（金）に米国ハワイ州オアフ島で開催されるInternational Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024)に協賛、出展、発表します。
口頭発表
  • ブース番号：未定
  • 題目：Demonstration of MOCVD system with advanced mass production performance
  • 題目：Demonstration of AlScN Growth Using Commercial-Grade MOCVD Equipment Compatible with Low Vapor Pressure Precursor Supply
2024年3月11日 大陽日酸は、2024年5月26日（日）～5月31日（金）にドイツのベルリンで開催されるInternational Workshop on Gallium Oxide and Related Materials(IWGO)に協賛(プラチナ)、出展、発表します。
口頭発表
  • ブース番号：未定
  • 題目：Growth of Si-doped β-Ga2O3 thick layers by low-pressure hot-wall MOVPE using tetramethylsilane as a doping gas
  • 発表日：未定
2024年3月4日 大陽日酸は、2024年8月5日（月）～8月7日（水）に米国オハイオ州コロンバスで開催される7th United States Gallium Oxide Workshop (GOX)に協賛しています。
2024年3月4日 大陽日酸は、2024年5月12日（日）～5月17日（金）に米国ネバダ州ラスベガスで開催される21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI)に協賛、出展、発表します。
2023年12月7日 大陽日酸は、2024年1月27日（土）～2月1日（木）に米国カルフォルニア州サンフランシスコで開催されるSPIE Photonics Westで講演を予定しています。
口頭発表
  • 題目：Crack-free growth of UVC LEDs on 6-inch sapphire substrates using face-to-face high-temperature annealed AlN by production scale MOCVD (Invited Paper)
  • 発表日：2024年2月1日（木）11:30AM-12:00PM PST
2023年11月9日 大陽日酸は、2023年11月12日（日）～11月17日（金）に福岡県で開催される14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)に協賛およびポスター発表を予定しています。
ポスター発表
  • 題目：Development of a MOCVD system with an integrated cleaning system and improved efficiency for the mass production of GaN epi-wafers
  • 発表日：2023年11月16日（木）16:20～18:10 日本時間
2023年7月14日 大陽日酸は、2023年8月13日（日）～8月16日（水）に米国ニューヨーク州で開催されるthe 6th U.S. Workshop on Gallium Oxide (GOX 2023)にブロンズスポンサーとして協賛しています。
2023年6月8日 大陽日酸は、2023年8月13日（日）～8月18日（金）にアメリカのアリゾナ州ツーソンで開催される23rd American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-23) and 21st US Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-21)に協賛しています。
2023年4月17日 大陽日酸は、2023年6月5日（月）～6月8日（木）にフランスのメッスで開催されるthe 6th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD 2023)にて、協賛および発表を予定しています。
2023年2月16日 大陽日酸は、2023年5月15日（月）～5月18日（木）にアメリカのオーランドで開催されるInternational Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (2023 CS MANTECH)に出展します。
2023年2月16日 大陽日酸は、2023年3月5日（日）～3月9日（木）に岐阜県で開催される15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma2023)にて、発表を予定しています。
口頭発表
  • 題目：Epitaxial growth for AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes on 6-inch sputter-annealed AlN template by using a mass production MOCVD system
  • 発表日：2023年3月８日（水）10:45~11:00 日本時間
2023年1月26日 大陽日酸は、2023年5月9日（火）～5月11日（木）に米国オハイオ州で開催されるOhio State Materials & Manufacturing Conference 2023に協賛しています。
2022年9月1日 大陽日酸は、2022年10月9日（日）～10月14日（金）にドイツのベルリンで開催されるInternational Workshop on Nitride Semiconductors（IWN2022）に協賛および出展します。
2022年9月1日 大陽日酸は、2022年10月23日（日）～10月27日（木）に日本の長野で開催されるInternational Workshop on Gallium Oxide and Related Materials（IWGO2022）に協賛および出展します。
2022年8月26日 大陽日酸は、2022年11月7日（月）～11月9日（水）に開催されるthe 9th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications（WiPDA 2022）に協賛しています。
2022年7月27日 大陽日酸は、2022年8月7日（日）～8月10日（水）に米国ワシントンD.C.で開催されるthe 5th U.S. Gallium Oxide Workshop (GOX 2022)に協賛しています。
2022年4月12日 大陽日酸と米国ノートルダム大学は、2022 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA)において、縦型GaN PNダイオードの発表を行います。VLSI-TSAは2022年4月18日（月）～21日（木）に台湾の新竹アンバサダーホテルで、また2022年4月25日（月）～5月24（火）にオンラインシンポジウムで、ハイブリット方式で開催されます。
2022年3月25日 大陽日酸は、2022年3月31日（木）にオンラインで開催されるMRS Webinar on Ultrawide Bandgap Materials and Devicesに協賛しています。
2021年9月29日 大陽日酸は、2021年11月29日（月）～12月2日（木）に米国ボストンで、また2021年12月6日（月）～12月8日（水）にオンラインで開催される2021 Fall MRS Meeting and ExhibitのNitride Materials-Synthesis, Characterization and Modeling Symposium (EQ13) に協賛しています。
2021年8月31日 大陽日酸は、2021年10月11日（月）～13日（水）にオンラインで開催される第40回電子材料シンポジウムで「Preliminary growth and uniformity of high Al composition AlGaN-based DUV-LEDs targeting wavelengths around 230nm」について発表します。
2021年8月24日 大陽日酸は、2021年10月10日（日）～14日（木）にオンラインで開催される240th Electrochemical Society (ECS) Meeting の Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Technology Symposium (H03) に協賛しています。
2021年5月18日 大陽日酸は、2021年5月24日（月）～27日（木）にオンラインで開催されるARPA-E Energy Innovation Summitに出展します。
2021年5月18日 大陽日酸は、2021年6月23日（水）～25日（金）にオンラインで開催される63rd Electronic Materials Conference（EMC 2021）に出展します。
2021年4月15日 大陽日酸は、2021年4月19日（月）～20日（火）に開催されるInternational Conference on UV LED Technologies and Applications (ICULTA 2021) に出展します。
2021年4月15日 大陽日酸は、2021年5月9日（日）～13日（木）にオンラインで開催されるCompound Semiconductor Week (CSW-2021) に協賛および出展します。
2021年3月10日 大陽日酸は、2021年4月17日（土）～23日（金）に開催される2021 MRS Spring Meetingにおいて、Symposium EL04- Ultrawide Bandgap Materials, Devices and Systemsに協賛しています。
2020年10月12日 大陽日酸は、2020年10月に開催されるMaterial Research Society (MRS) Global Diversity Awareness Monthにおいて、下記ウェビナーに協賛しています。
ウェビナー
2020年8月31日 大陽日酸は、2020年9月9日（水）に開催されるMaterials Research Society (MRS) a professional development series webinarを主催しております。
2020年6月3日 大陽日酸は、2020年6月21日（日）～24日（水）に開催される78th Device Research Conferenceにて出展を予定しております。
2020年6月3日 大陽日酸は、2020年6月24日（水）～26日（金）に開催される62nd Electronic Materials Conferenceにて出展を予定しております。
2020年6月3日 大陽日酸は、2020年10月25日（日）～27日（火）に米国カリフォルニア州クラウンプラザレドンドビーチアンドマリーナで開催される8th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications 2020にて出展を予定しております。
2020年4月20日 大陽日酸は、2020年5月19日（火）に開催されるAngelTech Online Summitにて、発表を予定しております。
口頭発表
  • セッション：CS International
  • 題目：GaN MOCVD Solutions
  • 発表日：2020年5月19日（火）
  • 概要：
    5Gワイヤレスコミュニケーション、電気自動車やその照明などが化合物半導体によって発展してきました。高輝度ダイオード、高移動度トランジスタやレーザーチップなどの全てのアプリケーションにおいて、高品質かつ高スループットなMOCVD装置が必要とされています。
    大陽日酸株式会社（TNSC）は1983年からMOCVD事業を開始しました。現在では(Al,In)GaN膜の高速成長プロセスの開発によって、高品質かつ高スループットなMOCVDプロセスを可能にしています。
    本プレゼンテーションでは、TNSC製MOCVD装置の特徴と精製から除害までのトータルソリューションの提供についてお話しいたします。
2019年8月9日 2019年9月2日（月）～5日（木）に名古屋大学で開催されるInternational Conference on Solid State Device and Materials（SSDM）にて、国立研究開発法人産業技術総合研究所様が、大陽日酸共著の発表を予定されています。また、大陽日酸は、併設展示会にブースを出展する予定です。
口頭発表
  • セッション：C-5-1（Area: 06: Photovoltaic / Energy Harvesting / Battery-related Technology）
  • 題目：Recent progress on HVPE-grown III-V solar cells with extremely high growth rates
  • 発表日：2019年9月5日（木）
2019年8月9日 大陽日酸は、2019年9月8日（日）～13日（金）にロシア サンクトペテルブルク Hotel Holiday Inn St. Petersburgで開催される第4回International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices（IWUMD-IV）にてポスター発表を予定しております。
ポスター発表
  • セッション：We-13p
  • 題目：Performance Improvement of Deep Ultraviolet Light Emitting Diode by Optimization of Electron Block Layer Thickness and Mg Concentration in p-GaN Contact Layer
  • 発表日：2019年9月11日（水） 18:00-19:30
2019年8月9日 大陽日酸は、2019年9月18日（水）～21日（土）に北海道大学札幌キャンパスで開催される第80回応用物理学会秋季学術講演会にてポスター発表を予定しております。また、その他複数の共著発表を予定しております。
大陽日酸　ポスター発表
  • セッション：18a-PB3-9
  • 題目：pクラッド層の最適化によるAlGaN系深紫外LEDの性能向上
  • 発表日：2019年9月18日 （水） 9:30-11:30
国立研究開発法人 産業技術総合研究所様　口頭発表
国立大学法人 名古屋大学様　口頭発表
国立大学法人 山口大学大学院創成科学研究科様　口頭発表
2019年6月7日 大陽日酸は、2019年7月4日（木）～7月5日（金）に宮崎市民プラザで開催される第16回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウムでの講演を予定しております。
口頭発表
2019年4月5日 大陽日酸は、2019年4月29日（月）～5月2日（木）に米国ミネソタ州ミネアポリス ハイアットリージェンシーホテルで開催されるCS ManTech 2018の併設展示会にブースを出展する予定です。
2019年4月5日 大陽日酸は、2019年5月19日（日）～5月23日（木）に奈良春日野国際フォーラムで開催されるCSW 2019の併設展示会にブースを出展する予定です。
2018年10月3日 大陽日酸は、2018年11月11日（日）～16日（金）にANA Crown Plaza Kanazawaにて開催されるIWN 2018（International Workshop on Nitride Semiconductor）にてポスター発表を予定しています。
ポスター発表
  • セッション：Poster section 3
  • 題目：High Temperature Annealing of AlN on 6-inch Sapphire by Annealing Furnace Capable of Processing Multiple Substrates
  • 発表日：2018年11月15日（木）
2018年8月1日 大陽日酸は、2018年9月18日（火）～21日（金）に、名古屋国際会議場にて開催される応用物理学会秋季学術講演会にて口頭発表を予定しております。
口頭発表
  • セッション：15.4 III-V族窒化物結晶
  • 題目： [21p-146-3] THVPE法を用いたN極性GaNの高温成長
  • 発表日：2018年9月21日（金） 14:00-14:15
  • 会場： 146（レセプションホール）
  • セッション：13.9 化合物太陽電池
  • 題目：[20p-136-8] HVPE法を用いたGaAs太陽電池のヘテロ界面の検討
  • 発表日：2018年9月20日（木） 15:15-15:30
  • 会場：136（3Fロビー）
  • セッション：13.9 化合物太陽電池
  • 題目：[20p-136-5] ハイドライド気相成長法によるInGaP太陽電池の高速成長
  • 発表日：2018年9月20日（木） 14:30-14:45
  • 会場：136（3F ロビー）
  • セッション：15.4 III-V族窒化物結晶
  • 題目：[19a-146-10] 緑色InGaN系多重量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率曲線の解析
  • 発表日：2018年9月19日（水） 11:30-11:45
  • 会場：146（レセプションホール）
  • セッション：13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
  • 題目：[20a-331-8] マルチウェハリアクタによって4インチサファイア基板上にMOVPE成長した低ドープn型GaNの実効ドナー密度分布
  • 発表日：2018年9月20日（木） 11:00-11:15
  • 会場：331（国際会議室）
  • セッション：15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
  • 題目：[18p-234B-1] 超高速成長GaAsの低温フォトルミネセンス特性
  • 発表日：2018年9月18日（火） 13:15-13:30
  • 会場：234B（234-2）
2018年4月11日 大陽日酸は、2018年5月29日（火）～6月1日（金）に米国マサチューセッツ工科大学で開催されるCSW 2018にて発表を予定しております。
口頭発表
  • セッション：We1B1 Wide Band Gap (AlGaN)
  • 題目：High Quality, Large Diameter AlN-on-sapphire Templates by High Temperature N2 Annealing
  • 発表日：2018年5月30日（水） 8:45-9:00
2018年4月11日 2018年6月3日（日）～6月8日（金）に奈良春日野国際フォーラムで開催されるICMOVPE-XIXにて、国立大学法人東京大学先端科学技術研究センター様が、大陽日酸共著の発表を予定されています。また大陽日酸も複数の発表を予定しております。
国立大学法人東京大学先端科学技術研究センター様口頭発表
  • セッション：7B-3.2
  • 題目：Study on the quality of GaAs grown by ultrafast MOVPE
  • 発表日：6月7日（木） 11:30-11:45
  • 会場：Room 3&4
大陽日酸口頭発表
  • セッション：5E-3.1（招待講演）
  • 題目：Design evolution of MOVPE reactors for improved productivity: adaptation to nitrides and feedback to classical III-V
  • 発表日：6月5日（火） 19:00-19:30
  • 会場：Room 3&4
大陽日酸ポスター発表
  • セッション：P1-20
  • 題目：Investigation of Large-diameter AlN Template with High Quality by High Temperature N2 annealing
  • 発表日：6月5日（火） 16:00-17:30
  • 会場：Reception Hall
  • セッション：P1-24
  • 題目：Influence of MOCVD reactor environment on crystal quality of AlN nucleation layer in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor structure on Si substrate
  • 発表日：6月5日（火） 16:00-17:30
  • 会場：Reception Hall
  • セッション：P1-25
  • 題目：Si-doped GaN Growth as a Drift Layer of Vertical Power Devices by Using Production-Scale Metalorganic Chemical Vapor Deposition
  • 発表日：6月5日（火） 16:00-17:30
  • 会場：Reception Hall
  • セッション：P1-62
  • 題目：High throughput MOVPE and accelerated growth rate of GaAs for PV application
  • 発表日：6月5日（火） 16:00-17:30
  • 会場：Reception Hall
2018年2月2日 大陽日酸は、2018年3月18日（日）～21日（水）に早稲田大学西早稲田キャンパスで開催される第65回応用物理学会春季学術講演会にて発表を予定しております。
2017年12月1日 大陽日酸は、2018年1月27日（土）～2月1日（木）に米国サンフランシスコ モスコーン・センターで開催されるSPIE Photonics West 2018にて発表を予定しております。
口頭発表
  • セッション：Growth I/10532-3
  • 題目：Characteristics of AlN layer on four-inch sapphire substrate by high-temperature annealing in nitrogen atmosphere
  • 発表日：2018年1月29日（月） 11:10AM-11:30AM
2017年10月2日 2017年11月12日（日）～17日（金）にびわ湖大津プリンスホテルで開催されるPVSEC 2017にて、国立研究開発法人産業技術総合研究所様が大陽日酸共著の発表を予定しております。
口頭発表
  • セッション：3Tu5.4
  • 題目：Fabrication of GaAs solar cells grown with InGaP window layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy
  • 発表日：2017年11月14日（火） 2:30PM-2:45PM
  • 会場：Room3
2017年10月2日 大陽日酸は、2017年11月14日（火）～18日（日）に九州大学医学部百年講堂で開催されるIWUMD 2017にて発表を予定しております。また併設展示会にブースを出展する予定です。
ポスター発表
  • セッション：Th-P42
  • 題目：Luminescence characteristics of Si-doped high Al composition AlGaN Multi-quantum-well grown by metal organic chemical vaper deposition
  • 発表日：2017年11月16日（木） 0:45PM-2:45PM

国立大学法人東京農工大学様も大陽日酸共著の発表を予定しております。

ポスター発表
  • セッション：We-P51
  • 題目：High temperature growth of GaN by THVPE method
  • 発表日：2017年11月15日（水） 0:30 PM-2:30PM
2017年9月1日 大陽日酸は、2017年10月8日（日）～12日（木）にカナダ アルバータ州バンフ バンフ・センターで開催されるISSLED 2017にて発表を予定しております。
ポスター発表
  • セッション：TP24
  • 題目：Characterization of AlN Layer on 4 Inch Sapphire Substrate by High Temperature Annealing in Nitrogen Atmosphere
  • 発表日：2017年10月10日（火） 4:00PM-6:00PM
2017年8月4日 大陽日酸は、2017年9月5日（火）～8日（金）に福岡国際会議場で開催される第78回応用物理学会秋季学術講演会にて発表を予定しております。
2017年8月4日 大陽日酸は、2017年9月18日（月）～22日（金）にフィンランド エスポー市 ホテルヌークシオで開催されるIWBNS-Xにて発表を予定しております。
2017年6月6日 大陽日酸は、2017年7月24日（月）～28日（金）にフランス ストラスブール ストラスブール・コンベンションセンターで開催されるICNS-12にて発表を予定しております。また併設展示会にブースを出展する予定です。
発表題目
  • Characteristics of AlN layer on 4-inch sapphire substrate by high temperature annealing in nitrogen atmosphere
2017年6月6日 大陽日酸は、2017年7月30日（日）～8月4日（金）に米国 ニューメキシコ州サンタフェ エルドラドホテルで開催されるOMVPE-18/ACCGE-21にて発表を予定しております。また併設展示会にブースを出展する予定です。
発表題目
  • Properties of GaN on high quality AlN sapphire template by using metalorganic chemical vapor deposition
2017年6月6日 2017年6月25日（日）～30日（金）に米国 ワシントンDC ワシントン・マリオットワードマンパークで開催されるPVSC 2017にて、国立研究開発法人産業技術総合研究所様が大陽日酸共著の発表を2件予定しております。
発表題目
  • Characterization of GaAs solar cells grown by hydride vapor phase epitaxy in a horizontal reactor
  • Extremely high-speed GaAs growth by MOVPE for low cost PV application
2017年4月3日 大陽日酸は、2017年5月14日（日）～18日（木）にドイツ ベルリン dbbフォーラムで開催されるCSW 2017にて発表を予定しております。
2017年3月16日 大陽日酸は、2017年4月19日（水）～21日（金）にパシフィコ横浜で開催されるLEDIA '17にて発表を予定しております。
2017年3月16日 大陽日酸は、2017年3月14日（火）～17日（金）にパシフィコ横浜で開催される第64回応用物理学会春季学術講演会にて発表を予定しております。
2016年9月5日 大陽日酸は、2016年9月12日（月）～15日（木）に、神戸メリケンパークオリエンタルホテルで開催される the 25th International Semiconductor Laser Conference（ISLC2016）にてブース展示（ブース番号2番）を予定しております。
2016年9月5日 大陽日酸は、2016年9月13日（火）～16日（金）に、新潟朱鷺メッセにて開催される応用物理学会秋季学術講演会において、ポスター発表を予定しています。
ポスター発表
  • セッション：14a-P6-15
  • 題目：Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造縦方向耐圧におけるSLS層周期数の影響
  • 発表日：2016年9月14日（水） 9:30AM-11:30AM
  • セッション：16a-P5-18
  • 題目：高温N2 雰囲気アニール処理をしたAlNテンプレート上へのAlN及びAlGaN (Al > 0.5) の再成長
  • 発表日：2016年9月16日（金） 9:30AM-11:30AM
  • セッション：16a-P5-19
  • 題目：量産用MOCVDを用いた低SiドープGaN膜中のCとSi濃度制御
  • 発表日：2016年9月16日（金） 9:30AM-11:30AM
2016年9月5日 大陽日酸は、2016年9月19日（月）～22日（木）に、ポーランド ワルシャワ工科大学にて開催される the European Materials Reserch Society (E-MRS) 2016 Fall Meeting において、口頭発表とポスター発表を予定しています。
口頭発表
  • セッション：G.2.1
  • 題目：Challenges to GaN MOCVD: High Growth rate and High Purity
  • 発表日：2016年9月19日（月） 11:00AM
ポスター発表
  • セッション：F.P.1.13
  • 題目：Characterization of AlN and AlxGa1-xN (x > 0.5) films regrown by high-temperature MOCVD on N2-annealed AlN template
  • 発表日：2016年9月19日（月） 5:45PM
2016年9月5日 大陽日酸/米国子会社マチソントライガス社は、2016年10月2日（日）～6日（木）に、米国フロリダ州オーランド Hilton Orlando Lake Buena Vista で開催される the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2016 にてブース展示とポスター発表を予定しています。また米国 Sandia National Laboratoriesより、大陽日酸共著の口頭発表が予定されています。
大陽日酸ポスター発表
  • セッション：PS1.27 @ Grand Ballroom
  • 題目：Regrowth of High‐Al‐Content AlGaN and AlN on High‐Quality AlN Template Fabricated by Annealing at 1700C under Nitrogen Ambient
  • 発表日：2016年10月3日（月） 6:30PM-8:30PM
  • セッション：PS2.122 @ Grand Ballroom
  • 題目：Impact of Crystal Quality of AlN Nucleation Layer on the Vertical Direction Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor Structures on Si
  • 発表日：2016年10月6日（木） 9:45AM-10:45AM
米国 Sandia National Laboratories 口頭発表
  • セッション：A2.7.05 Epitaxial Growth VII: Epitaxial Growth of (Al,Ga) N @ International South
  • 題目：Low Etch Pit Density AlN on Sapphire
  • 発表日：2016年10月6日（木） 9:15AM
 
2016年6月17日 大陽日酸は、2016年7月27日～31日に、北京大学で開催される International Workshop on UV Materials and Devices（IWUMD-2016）にて発表を予定しております。
2016年5月18日 大陽日酸は、2016年7月10日～15日に、米国サンディエゴ Sheraton San Diego Hotel & Marinaで開催される18th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxyにてブース展示（ブース番号18番）とポスター発表を予定しています。また米国 Sandia National Laboratoriesより、大陽日酸共著の口頭発表が予定されています。
大陽日酸ポスター発表
  • セッション：PS-1
  • 題目：Characterization of AlN and Mg-Doped AlxGa1-xN (x>0.2) Grown by Using Horizontal High-Flow-Rate MOVPE System
  • 発表日：7月12日 4:00PM-6:00PM
Sandia National Laboratories 口頭発表
  • セッション：1D-1 AlN Heteroepitaxy, Grande Ballroom C
  • 題目：Growth Evolution of AlN on Sapphire at High Temperature
  • 発表日：7月11日 4:00PM
2016年5月18日 大陽日酸は、2016年6月26日～30日に、富山国際会議場で開催されるthe 2016 Compound Semiconductor Week（CSW2016) にてブース展示（ブース番号6番) とポスター発表を予定しております。
2016年02月22日 大陽日酸は、2016年3月6日～10日に、名古屋大学にて開催されるISPlasmaにおいて、口頭発表を予定しています。
  • 題目：Breakdown electric field of each layer in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on Si substrates
  • 発表日：3月9日
2016年02月22日 大陽日酸は、2016年3月19日～22日に、東京工業大学にて開催される応用物理学会春季学術講演会において、口頭発表を予定しています。
  • 題目：Si 基板上AlGaN/GaN HEMT 構造縦方向リーク電流のAlGaN 緩衝層Al 組成依存性
  • 発表日：3月21日
2016年02月22日 大陽日酸は、2016年3月28日～4月1日に、米国ファニックスにて開催される2016MRSにおいて、ポスター発表を予定しています。
  • 題目：Variation of Vertical Direction Breakdown Voltage of the AlGaN/GaN HEMTs on AlN/Si Template Substrate as a Function of the Growth Temperature of the Initial Al Layer
  • 発表日：3月29日
2015年10月06日 大陽日酸は、2015年11月2日～6日に、韓国にて開催される9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors（IWBNS-Ⅸ）において口頭発表を予定しています。
  • 題目：Low C and Si residual concentration of GaN grown on GaN Substrates by MOCVD
2015年10月06日 大陽日酸は、2015年11月8日～13日に、アクトシティ浜松にて開催される6th International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-6)において、ポスター発表及びキーノート講演を予定しています。
  • ポスター発表題目：Si-doped Al0.6Ga0.4N with low carbon concentration at high growth rate using high-speed-flow MOVPE reactor
  • キーノート講演題目：Opportunities and Challenges to GaN MOCVD for Electron Devices
2015年10月06日 大陽日酸は、2015年11月26～27日に、大阪市立大学にて開催される電子情報通信学会研究会において、口頭発表を予定しています。
  • 題目：Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層の依存性
2015年09月01日 大陽日酸は、9月13日～16日に名古屋国際会議場にて開催される第76回応用物理学会秋季学術講演会において、ポスター発表2件を予定しています。
  • 題目：Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造の縦方向耐圧のAlN層成長条件依存性
  • 題目：高流速MOCVDを用いたn型AlGaN (Al>0.5) の高速成長
2015年08月04日 大陽日酸は、2015年8月30日～9月4日にBeijing International Convention Centerにて開催される11th International Conference on Nitride Semiconductors（ICNS-11）に展示を予定してます。
2015年08月04日 大陽日酸は、2015年8月23日～26日にひだホテルプラザ（高山）にて開催される11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics （TWHM）に展示を予定してます。また「Correlation of the initial AlN layer and vertical direction current leakage of AlGaN/GaN high-electron-mobitdty transistors（HEMTs）on Si substances」のトピックについて、ポスターセッションにも参加予定です。
2015年08月04日 大陽日酸は、2015年8月20～21日にヒルトン福岡シーホーク（福岡）にて開催されるWorkshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors（WUPP）に展示を予定してます。新しいウィンドウで開く
2015年02月26日 大陽日酸は、2015年3月25～28日にTWTC Nangang Exhibit Hall（台北、台湾）にて開催されるLED Taiwan 2015に展示を予定しています。
2014年07月02日 大陽日酸は、2014年7月25～26日に名城大学にて開催される第6回窒化物半導体結晶成長研究会に展示を予定しています。
2014年07月02日 大陽日酸は、2014年8月24～29日にCentennial Hall in Wroclaw, Polandにて開催されるIWN 2014 (International Workshop on Nitride Semiconductors 2014) に展示を予定しています。
2014年07月02日 大陽日酸は2014年9月8～11日につくば国際会議場にて開催されるSSDM2014 (Solid State Devices and Materials 2014) に展示を予定しています。
2014年04月18日 大陽日酸は、2014年5月18日-22日にウェスティンホテル・ピーチツリープラザ（アトランタ、ジョージア）にて開催される5th International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-5) に出展を予定しております。