米国企業Lit Thinkingから当社製MOCVD装置を初受注 技術開発の加速と商業製品の品質向上に期待

イノベーションユニットCSE事業部は、芝事業所からみなとみらい事業所へ移転となります。営業開始は5月1日からとなります。

ガスレビューから発行された『PROトロンVol.10』にてMOCVD装置新機種「UR26K-CCD」上市に関する記事が掲載されました。

従来機に比べ生産効率が50％向上　GaN系量産型MOCVD装置“UR26K-CCD”販売開始のお知らせ

大陽日酸は、2022年10月9日（日）～10月14日（金）にドイツのベルリンで開催されたIWN2022および10月23日（日）～10月27日（木）に長野県で開催されたIWGO2022に協賛・出展しました（社内報「ベストスクラム」2023年1月号より）。

大陽日酸は、2022年10月19日（水）～21日（金）に奈良県で開催された第41回電子材料シンポジウムにて発表しました。

題目：In-plane uniformity control of Al composition and thickness for AlGaN-based Far-UVC LEDs growth

大陽日酸は、MOCVD技術・研究における多大な貢献に対して贈られるHarold M. Manasevit Young Investigator Awardのゴールドスポンサーとなっています。

新規開発したGa₂O₃装置FR2000-OXを使用してエピを開始しました。

東京農工大学への当社製Ga₂O₃用MOCVD装置設置および稼働開始のお知らせ

理化学研究所との共同研究で当社製MOCVD装置を用いてAlGaN系深紫外 LED 226nmのEL発光を実証

米国ノースカロライナ州立大学と当社製MOCVD装置を用いた共同研究合意についてのお知らせ

米国の政府系研究機関Sandia National Laboratoriesによる当社製MOCVD装置（2台目）採用決定のお知らせ

β型酸化ガリウム結晶の有機金属気相成長に成功！～次世代パワーデバイスによる脱炭素社会実現を加速～

大陽日酸は、2021年3月7日（日）～11日（木）にオンラインで開催された13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)にて発表しました。

題目：Optimization of p-type Layer for Improvement of Deep Ultraviolet LEDs on 4-inch Substrates Grown by Using a Large-Scale MOCVD Tool

AlN、GaNなどの紫外発光デバイス用および先端デバイス用MOCVDが公益社団法人日本表面真空学会の産業賞を受賞

大陽日酸は、2020年10月7日（水）～11日（金）にオンラインで開催された第39回電子材料シンポジウムにて発表しました。

題目：Epitaxial growth of four-inch AlGaN-based deep ultraviolet LEDs by using a large-scale mass production MOCVD tool

国立研究開発法人産業技術総合研究所 研究成果を発表「高効率な多接合太陽電池の普及を加速させる技術を開発」－低コスト成膜技術で困難だったアルミニウム系材料の太陽電池導入を可能に－

出典元：国立研究開発法人産業技術総合研究所

関係会社「大陽日酸CSE株式会社」の情報を更新しました。

国立研究開発法人産業技術総合研究所が開発している大陽日酸HVPE装置を用いた低コスト太陽電池成長技術が応用物理学会誌最新号で紹介されました。
「化合物半導体の高速成長と太陽電池応用」（2020年89巻6号）

マガスレビュー社のPROトロン６号に当社の超高効率な太陽電池生産技術開発の記事が掲載されました。

マレーシアの産官学連携プログラムCRESTが当社製MOCVD装置を採用

国立研究開発法人産業技術総合研究所 研究成果を発表「高効率ガリウムヒ素太陽電池を低コストで製造」－太陽電池製造用の HVPE装置、国内の商用機製品化を後押し－

出典元：国立研究開発法人産業技術総合研究所

国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構からの「高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発」の受託並びに研究開始のお知らせ

参考：高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発（国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構サイト

大陽日酸のMOCVDに関する記事が Compound Semiconductor magazine, Volume 22, Issue 3, April/May 2016 に掲載されました。
VENDOR VIEW Driving diversification in GaN device production (Page 22)

大陽日酸株式会社と米国子会社の Matheson Tri-Gas, Inc.が納入した MOCVD装置 SR4000HT が米国の政府系研究機関である Sandia National Laboratories に正式受領されました。

第63回応用物理学会春季学術講演会予稿を、弊社サイト技術論文へ掲載しました。

カルフォルニア大学サンタバーバラ校のSolid State Lighting & Energy Electronics Centerへ当社製MOCVD装置反応炉を納入しました。

ガスレビューNo.803（11月01日号）のノーベル物理学賞記事において、大陽日酸製MOCVD装置が取り上げられました。

大陽日酸株式会社は、台湾のLED製造大手Epistar Corporationに当社製MOCVD装置を納入しました。

大陽日酸株式会社と米国子会社のMatheson Tri-Gas, Inc.は米国の政府系研究機関であるSandia National LaboratoriesにMOCVD装置を納入することが決定しました。

LED台湾2014に展示した弊社ブース紹介が、4月2日付け電波新聞に掲載されました。

台湾工業技術院(ITRI)とGaN基板上のUV-LED開発契約を締結しました。
ITRI and TNSC Unite to Promote UVA LED Production on GaN Substrate — LEDinside

TNSC Signs Technical MOCVD Agreement With ITRI — LEDinside

大陽日酸は2014年4月1日よりMOCVD装置製造部門を関係会社『大陽日酸CSE株式会社（旧　大陽日酸イー・エム・シー株式会社）』に全面移管いたしました。

大陽日酸のMOCVDに関する記事がCompound Semiconductor Magazineに掲載されました。
Faster, better III-N film growth (Page 38) — Compound Semiconductor

大陽日酸は、2014年4月1日（予定）よりMOCVD装置製造部門を関係会社『大陽日酸CSE株式会社（現 大陽日酸イー・エム・シー株式会社）』に全面移管することになりました。

大陽日酸は、国立大学法人名古屋工業大学の窒化物半導体マルチビジネス創生センターへ量産型GaN-MOCVD装置であるUR25K（6インチ×7枚）およびUR26K（8インチ×6枚）を納入いたしました。UR26Kは世界最大の処理能力を有します。

大陽日酸は、国立大学法人名古屋工業大学と平成25年10月1日付で「大口径Si基板上のGaNの成長技術及びデバイス評価技術に関する研究」の共同研究契約を締結しました。詳細はリンク資料をご参照ください。